NGI Technologies
반도체·IC

Industry Overview

AFE·RF·레이저·다이오드·홀 효과 — 반도체 R&D부터 양산까지

AFE·RF·MOSFET·다이오드·레이저 칩 — 반도체 부품의 검증은 fA급 미세 전류와 mV급 정밀 전압이 요구됩니다. NGI는 4사분면 SMU와 다채널 정밀 DC 전원을 결합한 솔루션으로 반도체 R&D·양산 검증의 새 표준을 만듭니다.

Industry Challenges

산업의 검증 도전 과제

01

fA·nA급 누설 전류·암전류 정밀 측정

02

다이오드 양산의 매니퓰레이터 동기 트리거

03

솔라셀의 4사분면 동작 — 발전 측정

04

FET·BJT·다이오드의 IV 특성 자동 스윕

Verification Scenarios

NGI 반도체·IC 검증 시나리오

산업 표준에 부합하는 풀체인 검증 시나리오를 단일 측정 인프라에서 처리합니다.

AFE·SMU 검증

01 / 4

고정밀 4사분면 SMU로 fA급 누설 전류 정확 측정.

추천 모델

다이오드 양산 시험

02 / 4

10개 디지털 IO + 매니퓰레이터 동기 트리거로 양산 처리량 향상.

추천 모델

FET·BJT IV 특성

03 / 4

선형·로그 스윕으로 자동 IV 특성 곡선 측정.

추천 모델

다채널 칩 양산

04 / 4

다채널 정밀 DC 전원 + 매트릭스 스위치로 멀티 칩 동시 검증.

추천 모델

N9244NXI-4501
한국공식 파트너 ㈜ 비앤피인스트루먼트

반도체·IC 도입 상담

글로벌 톱 OEM이 채택한 NGI 솔루션을 한국에서도 동일 사양·동일 기술 지원으로 도입하실 수 있습니다.
검증 시나리오·예산·일정에 맞춘 맞춤 구성안은 ㈜비앤피인스트루먼트 에서 받아보실 수 있습니다.