응용 사례 | 고정밀 디지털 SMU의 FET(전계효과 트랜지스터) 시험 활용

FET(Field Effect Transistor)는 JFET와 MOSFET로 나뉘는 단극성 트랜지스터입니다. 다수 캐리어가 전도에 참여하며 고임피던스·저잡음·저전력 등의 장점을 지닙니다.

FET가 정상 작동하려면 다양한 성능 시험이 필요한데, IV 특성 검증이 가장 종합적이고 핵심적입니다.

주요 IV 시험 항목

• 게이트 누설 전류, 항복 전압, 임계 전압
• 전송·전달 특성, 드레인 전류, 온저항
• VDS-ID 드레인 특성 곡선

NGI N2600 시리즈 고정밀 디지털 SMU는 SMU CH1을 게이트, CH2를 드레인에 연결하고 게이트 전압(VG)을 조정하면서 드레인 특성 곡선을 자동 스캔합니다. 4사분면 동작과 고정밀 측정으로 FET R&D·양산의 표준 도구로 자리잡고 있습니다.